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采用单环戊二烯基三烷氧基铪和锆前体通过原子层沉积制备薄膜的方法

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摘要

提供了通过原子层沉积形成含金属的膜的方法。该方法包含将至少一种前体基材送递到基材，其中所述至少一种前体在结构上对应于式(II)：其中：M是Hf或Zr；R是C

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-07-22

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/18 申请公布日:20130612 申请日:20080910

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-07-17

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/18 申请日:20080910

实质审查的生效
2013-06-12

公开

公开

1. 采用单环戊二烯基三烷氧基铪和锆前体通过原子层沉积制备薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN103147062A . 2013-06-12
2. 采用单环戊二烯基三烷氧基铪和锆前体通过原子层沉积制备薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN101815807A . 2010-08-25
3. METHODS OF PREPARING THIN FILMS BY ATOMIC LAYER DEPOSITION USING MONOCYCLOPENTADIENYL TRIAMINO ZIRCONIUM PRECURSORS [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2191034B1 . 2013-03-13

机译：单环戊二烯基三亚氨基锆前驱体原子层沉积制备薄膜的方法
4. METHODS OF PREPARING THIN FILMS BY ATOMIC LAYER DEPOSITION USING MONOCYCLOPENTADIENYL TRIALKOXY HAFNIUM AND ZIRCONIUM PRECURSORS [P] . 韩国专利： KR20100072021A . 2010-06-29

机译：单环戊二烯基三碘合XY和锆前驱体原子层沉积制备薄膜的方法
5. METHODS OF PREPARING THIN FILMS BY ATOMIC LAYER DEPOSITION USING MONOCYCLOPENTADIENYL TRIALKOXY HAFNIUM AND ZIRCONIUM PRECURSORS [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2191034A1 . 2010-06-02

机译：单环戊二烯基三碘合XY和锆前驱体原子层沉积制备薄膜的方法