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用于制造硅膜的方法、硅膜和具有硅膜的光电子半导体器件

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摘要

在方法的至少一个实施方式中，所述方法用于经由挤压制造使用在光电子半导体器件（10）中的硅膜（2）。所述方法包含下述步骤：将模具膜（1）引入压模（5）；将载体膜（3）引入压模（5），其中将所述载体膜（3）施加在衬底膜（4）上，并且所述衬底膜（4）在横向上突出于所述载体膜（3）；提供硅基质（20）并将其施加到所述模具膜（1）或载体膜（3）上；将硅基质（20）相对于在模具膜（1）和载体膜（3）之间的硅膜（2）挤压，其中所述硅基质在横向上在所述载体膜（3）旁边的重叠区域中与所述衬底膜（4）接触；从所述硅膜（2）处移除所述模具膜（1）；以及分离所述重叠区域（24）。

著录项

公开/公告号CN103153570A

专利类型发明专利
公开/公告日2013-06-12

原文格式PDF
申请/专利权人欧司朗光电半导体有限公司;
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申请/专利号CN201180048532.7
发明设计人斯特凡·普雷乌斯;托比亚斯·格尔特尔;托马斯·席勒;汉斯-克里斯托弗·加尔迈尔;
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申请日2011-08-17
分类号B29C43/18;B29C43/20;B29C43/40;B29C69/00;H01L33/52;
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人张春水
地址德国雷根斯堡
入库时间 2024-02-19 19:46:08

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-08-12

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B29C43/18 申请公布日:20130612 申请日:20110817

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-07-17

实质审查的生效 IPC(主分类):B29C43/18 申请日:20110817

实质审查的生效
2013-06-12

公开

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