法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-11-04
授权
授权
2014-04-09
实质审查的生效 IPC(主分类):C09K11/85 申请日:20131024
实质审查的生效
2014-03-12
公开
公开
技术领域
本发明涉及上转换荧光材料的制备,尤其涉及一种通过阳极氧化电沉积制备β-NaGdF4: Yb3+, Er3+上转换荧光材料的方法。
背景技术
上转换材料可以将长波的红外光转换为短波的可见光,实质上是一种反Stokes发光。它可广泛应用于色彩显示技术、固态激光器、太阳能电池、纳米尺寸的生物标记、光纤通讯、疾病诊断等方面。β-NaGdF4 是最受关注的发光基质材料之一,其荧光发射峰窄,声子能量低,可降低非辐射跃迁,从而达到较高的上转换发光效率。此外,β-NaGdF4 还具有磁性,可应用于医学上的磁共振成像(MRI)。
通常上转换材料包括基质、激活剂、敏化剂三部分,能量传递一般发生在激活剂和敏化剂之间。对于β-NaGdF4: Yb3+, Er3+体系来讲,NaGdF4 作基质材料,Er3+ 作激活剂,其能级丰富且分布均匀。Yb3+吸收截面积大,吸收带较宽,Yb3+吸收980nm近红外光后,可将能量传递给Er3+使其上转换效率提高1~2个数量级。
目前,β-NaGdF4 常见的制备方法有:热分解法、水(溶剂)热法、溶胶-凝胶法。为了得到良好的六方形晶相,这些制备方法通常需要严格控制实验条件,诸如高温、金属前驱物浓度、混合溶剂的比例以及表面添加剂等因素,对实验设备和实验程序有很高的要求。
发明内容
本发明的目的是克服现有制备方法的不足,提供一种电沉积制备β-NaGdF4: Yb3+, Er3+上转换荧光材料的方法。
一种电沉积制备β-NaGdF4: Yb3+, Er3+ 上转换荧光材料的方法,它的步骤如下:
1)ITO导电玻璃的预处理,得到干净的ITO导电玻璃;
2)β-NaGdF4: Yb3+, Er3+ 薄膜电极的制备,将EDTA与Gd(NO3)3 、Yb(NO3)3、Er(NO3)3常温络合后,加NaF溶液,搅拌混匀,然后加入抗坏血酸钠,调节pH6.9-7.1得到电解液;阳极氧化电沉积;煅烧后得到β-NaGdF4: Yb3+, Er3+上转换荧光材料。
优选地,所述的步骤1)中,ITO导电玻璃的预处理:用丙酮清洗ITO导电玻璃3~4次,再用去离子水将导电玻璃放在超声波清洗器中清洗30~60分钟,接着将ITO导电玻璃放在10%的硝酸溶液中活化30~60s, 最后用去离子水清洗干净,备用。
优选地,所述的步骤2)中,β-NaGdF4: Yb3+, Er3+薄膜电极的制备:将1mmol的EDTA,0.79mmol的Gd(NO3)3·6H2O, 0.20mmol的Yb(NO3)3·5H2O, 以及0.01mmol 的Er(NO3)3·5H2O溶于50ml的去离子水中,在常温下搅拌30分钟使其络合充分,形成溶液A;将10mmol的NaF溶于50ml去离子水中形成溶液B;将溶液B逐滴加入溶液A中,并搅拌10分钟; 向混合溶液中加入10mmol的抗坏血酸钠;最后用NaOH和HNO3 将总混合溶液的pH调节为7.00的电解液;将电解液转移至四口烧瓶中,以ITO导电玻璃为工作电极,Ag-AgCl电极为参比电极,铂电极为对电极组成三电极体系,在电解液中进行恒电位电沉积,电压为0.8V,温度控制在100℃,沉积时间为7200s;电沉积结束后,ITO导电玻璃上沉积出一层均匀质密的薄膜,用去离子水冲洗数遍后晾干,在马弗炉里于300℃下煅烧6小时,得到β-NaGdF4: Yb3+, Er3+上转换荧光材料。
进一步优选地,所述的β-NaGdF4: Yb3+, Er3+上转换荧光材料呈六棱柱形貌,长为1.3-1.7μm,底面半径为180-220nm。
进一步优选地,所述的β-NaGdF4: Yb3+, Er3+上转换荧光材料发光测试,以980nm激光器作为激发光源, Er3+所对应的三个发射峰:524nm( 2H9/2→4I15/2 ), 539nm( 4S3/2→4I15/2 )和654nm(4S3/2→4I15/2 )。其中,654nm 的红光为主要的发射峰。
本发明的有益效果,采用阳极氧化电沉积法制备出β-NaGdF4: Yb3+, Er 3+薄膜,发光强度高,出峰尖锐,适用于生物检测或太阳能电池。此外,该方法设备简单、操作方便、在常温常压下可进行,有望进行工业化生产。
附图说明
图1为 β-NaGdF4 退火前(a)、β-NaGdF4: Yb3+, Er 3+退火前(b)、β-NaGdF4: Yb3+, Er 3+退火后(c)的X射线衍射图谱,其中星号代表的是基底氧化铟的衍射峰;
图2为 β-NaGdF4: Yb3+, Er 3+上转换荧光材料的扫描电镜图;
图3为 β-NaGdF4: Yb3+ 0.2, Er 3+0.01 (a)、β-NaGdF4: Yb3+ 0.2, Er 3+0.02 (b)、β-NaGdF4: Yb3+ 0.2, Er 3+0.03(c)的荧光发射光谱图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明做进一步的说明。
一种电沉积制备β-NaGdF4: Yb3+, Er3+上转换荧光材料的方法,它的步骤如下:
1)ITO导电玻璃的预处理,得到干净的ITO导电玻璃;
2)β-NaGdF4: Yb3+, Er3+薄膜电极的制备,将EDTA与Gd(NO3)3 、Yb(NO3)3、Er(NO3)3常温络合后,加入NaF溶液,搅拌混匀,然后加入抗坏血酸钠,调节pH6.9-7.1得到电解液;阳极氧化电沉积;煅烧后得到β-NaGdF4: Yb3+, Er3+上转换荧光材料。
实施例1
1)ITO导电玻璃的预处理:用丙酮清洗ITO导电玻璃3~4次,再用去离子水将导电玻璃放在超声波清洗器中清洗30~60分钟,接着将ITO导电玻璃放在10%的硝酸溶液中活化30~60s, 最后用去离子水清洗干净,待用;
2)β-NaGdF4: Yb3+, Er3+薄膜电极的制备:将1mmol的EDTA,0.79mmol的Gd(NO3)3·6H2O, 0.20mmol的Yb(NO3)3·5H2O, 以及0.01mmol 的Er(NO3)3·5H2O溶于50ml的去离子水中,在常温下搅拌30分钟使其络合充分,形成溶液A;将10mmol的NaF溶于50ml去离子水中形成溶液B;将溶液B逐滴加入溶液A中,并搅拌10分钟; 向混合溶液中加入10mmol的抗坏血酸钠;最后用NaOH和HNO3 将总混合溶液的pH调节为7.00。将配置好的电解液转移至四口烧瓶中,以ITO导电玻璃为工作电极,Ag-AgCl电极为参比电极,铂电极为对电极组成三电极体系,在电解液中进行恒电位电沉积,实验所需电压为0.8V,系统温度控制在100℃,沉积时间为7200s。电沉积结束后,导电玻璃上沉积出一层均匀质密的薄膜,见图1、图2、图3中a.将样品用去离子水冲洗数遍后晾干,在马弗炉里于300℃下煅烧6小时,备用。
实施例2
1)ITO导电玻璃的预处理:用丙酮清洗ITO导电玻璃3~4次,再用去离子水将导电玻璃放在超声波清洗器中清洗30~60分钟,接着将ITO导电玻璃放在10%的硝酸溶液中活化30~60s, 最后用去离子水清洗干净,待用;
2)β-NaGdF4: Yb3+, Er3+薄膜电极的制备:将1mmol的EDTA,0.78mmol的Gd(NO3)3·6H2O, 0.20mmol的Yb(NO3)3·5H2O, 以及0.02mmol 的Er(NO3)3·5H2O溶于50ml的去离子水中,在常温下搅拌30分钟使其络合充分,形成溶液A;将10mmol的NaF溶于50ml去离子水中形成溶液B;将溶液B逐滴加入溶液A中,并搅拌10分钟; 向混合溶液中加入10mmol的抗坏血酸钠;最后用NaOH和HNO3 将总混合溶液的pH调节为7.00。将配置好的电解液转移至四口烧瓶中,以ITO导电玻璃为工作电极,Ag-AgCl电极为参比电极,铂电极为对电极组成三电极体系,在电解液中进行恒电位电沉积,实验所需电压为0.8V,系统温度控制在100℃,沉积时间为7200s。电沉积结束后,导电玻璃上沉积出一层均匀质密的薄膜,见图1、图2、图3中b将样品用去离子水冲洗数遍后晾干,在马弗炉里于300℃下煅烧6小时,备用
实施例3
1)ITO导电玻璃的预处理:用丙酮清洗ITO导电玻璃3~4次,再用去离子水将导电玻璃放在超声波清洗器中清洗30~60分钟,接着将ITO导电玻璃放在10%的硝酸溶液中活化30~60s, 最后用去离子水清洗干净,待用;
2)β-NaGdF4: Yb3+, Er3+薄膜电极的制备:将1mmol的EDTA,0.77mmol的Gd(NO3)3·6H2O, 0.20mmol的Yb(NO3)3·5H2O, 以及0.03mmol 的Er(NO3)3·5H2O溶于50ml的去离子水中,在常温下搅拌30分钟使其络合充分,形成溶液A;将10mmol的NaF溶于50ml去离子水中形成溶液B;将溶液B逐滴加入溶液A中,并搅拌10分钟; 向混合溶液中加入10mmol的抗坏血酸钠;最后用NaOH和HNO3 将总混合溶液的pH调节为7.00。将配置好的电解液转移至四口烧瓶中,以ITO导电玻璃为工作电极,Ag-AgCl电极为参比电极,铂电极为对电极组成三电极体系,在电解液中进行恒电位电沉积,实验所需电压为0.8V,系统温度控制在100℃,沉积时间为7200s。电沉积结束后,导电玻璃上沉积出一层均匀质密的薄膜。见图1、图2、图3中c将样品用去离子水冲洗数遍后晾干,在马弗炉里于300℃下煅烧6小时,备用。
机译: 电沉积过程,电沉积浴和通过电沉积制备稀土永磁材料的方法
机译: 电沉积材料组合物,使用其的电沉积涂膜和制备电沉积涂膜的方法
机译: 附有铋膜的金属材料及其制备方法的制备方法,上述方法,以及阳离子电沉积涂层金属材料及其制备方法