首页> 中国专利> 碳化硅衬底、碳化硅锭以及制造碳化硅衬底和碳化硅锭的方法

碳化硅衬底、碳化硅锭以及制造碳化硅衬底和碳化硅锭的方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明提供具有高度均匀的特性的碳化硅衬底和碳化硅锭以及制造所述碳化硅衬底和所述碳化硅锭的方法。制造碳化硅锭的方法包括：准备底部衬底的准备步骤(S10)，所述底部衬底由单晶碳化硅制成并在偏离角方向上具有0.1°以上且10°以下的偏离角，所述偏离角方向是相对于(0001)面的方向或方向；和在所述底部衬底的表面上生长碳化硅层的成膜步骤(S20)。在所述成膜步骤(S20)中，在上游侧的端部处在已生长的所述碳化硅层的表面上形成具有(0001)小平面的区域，所述上游侧为在所述偏离角方向上在所述底部衬底的方向轴与所述底部衬底的所述表面之间相交的角为锐角的一侧。

著录项

公开/公告号CN103476975A

专利类型发明专利
公开/公告日2013-12-25

原文格式PDF
申请/专利权人住友电气工业株式会社;
展开▼

申请/专利号CN201280019349.9
发明设计人佐佐木信;西口太郎;
展开▼

申请日2012-03-30
分类号C30B29/36;
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人陈海涛
地址日本大阪府大阪市
入库时间 2024-02-19 22:40:22

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-06-29

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B29/36 申请公布日:20131225 申请日:20120330

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-03-05

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/36 申请日:20120330

实质审查的生效
2013-12-25

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 碳化硅衬底、碳化硅锭以及制造碳化硅衬底和碳化硅锭的方法 [P] . 中国专利： CN103476975A . 2013-12-25
2. 碳化硅衬底，碳化硅半导体器件以及制造碳化硅衬底和碳化硅半导体器件的方法 [P] . 中国专利： CN105164322A . 2015-12-16
3. Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot [P] . 美国专利： US9605358B2 . 2017-03-28

机译：碳化硅衬底，碳化硅锭以及制造碳化硅衬底和碳化硅锭的方法
4. Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot [P] . 美国专利： US9422639B2 . 2016-08-23

机译：碳化硅衬底，碳化硅锭以及制造碳化硅衬底和碳化硅锭的方法
5. Silicon carbide substrate, canned ingot made from silicon carbide, and method for producing a silicon carbide substrate and a ingots of silicon carbide [P] . 德国专利： DE112012002192T5 . 2014-03-13

机译：碳化硅衬底，由碳化硅制成的罐头锭，以及制造碳化硅衬底和碳化硅锭的方法