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氮化镓结晶生长用蓝宝石基板、氮化镓结晶的制造方法及氮化镓结晶

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本发明提供与以往相比实现氮化镓结晶更低的错位化，能实现氮化镓结晶更高的品质化的氮化镓结晶生长用蓝宝石基板、氮化镓结晶的制造方法及氮化镓结晶。一种氮化镓结晶生长用蓝宝石基板（10），其在蓝宝石基板（11）的C面上形成多个微小凸部（12），以朝向蓝宝石基板（11）的a轴方向距C面的角度为43.2度的面为基准面，距该基准面±10度以内的区域（13）占微小凸部（12）的表面积的5%以上的比例。一种氮化镓结晶的制造方法，其使氮化镓结晶（14）在该氮化镓结晶生长用蓝宝石基板（10）上生长。一种氮化镓结晶（14），其由该制造方法制造。

著录项

公开/公告号CN103811611A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-05-21

原文格式PDF
申请/专利权人日立金属株式会社;
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申请/专利号CN201310337259.0
发明设计人藤仓序章;今野泰一郎;
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申请日2013-08-05
分类号H01L33/16;H01L33/32;
代理机构北京银龙知识产权代理有限公司;
代理人丁文蕴
地址日本东京都
入库时间 2024-02-20 00:20:11

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-03-23

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/16 申请公布日:20140521 申请日:20130805

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-05-21

公开

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