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一种广角偏振无关的宽频太赫兹波吸收器制作方法

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摘要

本发明涉及一种广角偏振无关的宽频太赫兹波吸收器制作方法，选取一定掺杂浓度的半导体硅，通过在硅晶圆表面使用光刻工艺以及ICP工艺刻蚀，或者化学腐蚀工艺制得周期排列的降低反射率光栅层，光栅层除外的剩余部分为降低透过率的衬底层。此结构在太赫兹波段实现了广角偏振无关的宽频吸收器；所提出的二维光栅结构高掺杂硅衬底吸收器与传统的超材料吸收器相比较，具有吸收频段高，偏振无关，入射角度广等优点；吸收器制作方法，取材广泛，实现简单有效，便于加工，适用范围广；所提出的制作广角偏振无关的宽频太赫兹波吸收器可根据实际应用场合及要求，通过结构参数的调整来实现吸收率、吸收频段、吸收带宽的调节。

著录项

  • 公开/公告号CN103969712A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海理工大学;

    申请/专利号CN201410142305.6

  • 发明设计人 臧小飞;朱亦鸣;施成;陈麟;

    申请日2014-04-11

  • 分类号G02B5/00(20060101);H01Q17/00(20060101);

  • 代理机构31001 上海申汇专利代理有限公司;

  • 代理人吴宝根

  • 地址 200093 上海市杨浦区军工路516号

  • 入库时间 2023-12-17 00:50:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-10-19

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G02B5/00 申请公布日:20140806 申请日:20140411

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-09-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B5/00 申请日:20140411

    实质审查的生效

  • 2014-08-06

    公开

    公开

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