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在硅衬底上调控铁磁钌酸锶外延薄膜居里温度的方法

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摘要

本发明涉及一种在硅衬底上调控铁磁钌酸锶外延薄膜居里温度的方法，所述方法包括：在硅衬底上，采用脉冲激光沉积法沉积钌酸锶薄膜，通过调节沉积脉冲激光沉积法的氧分压，实现对钌酸锶薄膜的居里温度的调节。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-07-21

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/28 申请公布日:20150401 申请日:20141231

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-04-29

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/28 申请日:20141231

实质审查的生效
2015-04-01

公开

公开

1. 在硅衬底上调控铁磁钌酸锶外延薄膜居里温度的方法 [P] . 中国专利： CN104480433A . 2015-04-01
2. 在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法 [P] . 中国专利： CN1725444A . 2006-01-25
3. Methods of Forming Strontium Ruthenate Thin Films and Methods of Manufacturing Capacitors Including the Same [P] . 美国专利： US2010209595A1 . 2010-08-19

机译：钌酸锶薄膜的形成方法及包括该薄膜的电容器的制造方法
4. Piezoelectric element using a barium-containing strontium ruthenate electrodes, ink jet recording head using a piezoelectric element and a conductor manufacturing method thereof and a thin film capacitor [P] . 日本专利： JP3847689B2 . 2006-11-22

机译：使用含有钡的钌酸锶电极的压电元件，使用压电元件的喷墨记录头及其导体的制造方法以及薄膜电容器
5. BARIUM-CONTAINING STRONTIUM RUTHENATE ELECTRODE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, PIEZOELECTRIC ELEMENT USING THE SAME, THIN FILM CAPACITOR, AND INK JET RECORDING HEAD USING PIEZOELECTRIC ELEMENT [P] . 日本专利： JP2004111850A . 2004-04-08

机译：含钡的钌酸锶电极，其制造方法，使用相同的压电元件，薄膜电容器以及使用压电元件的喷墨记录头