首页> 中国专利> 一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN HTMTs器件

一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN HTMTs器件

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了一种带雪崩特性的AlGaN/GaN HTMTs器件。器件包括AlGaN/GaN HTMTs器件和反向额定电压与AlGaN/GaN HTMTs器件额定阻断电压相同的Si基二极管并联。使得AlGaN/GaN HTMTs器件在阻断状态工作时，当漏端电压超过器件的额定阻断电压时，通过Si基二极管的雪崩击穿效应，固定漏端电压，并且通过Si基二极管的雪崩效应产生雪崩电流，反馈给保护电路。从而保护整个电路系统，增强器件和系统的安全性与稳定性。

著录项

公开/公告号CN104362147A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-02-18

原文格式PDF
申请/专利权人佛山芯光半导体有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201410662069.0
发明设计人何志;谢刚;
展开▼

申请日2014-11-19
分类号H01L25/18;H01L29/778;
代理机构
代理人
地址 528226 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地核心区内A区7座三层302
入库时间 2023-12-17 03:57:53

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-11-03

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L25/18 申请公布日:20150218 申请日:20141119

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-05-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L25/18 申请日:20141119

实质审查的生效
2015-02-18

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN HEMTs器件的封装结构 [P] . 中国专利： CN205248266U . 2016.05.18
2. 一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN HEMTs器件的封装结构 [P] . 中国专利： CN104576623A . 2015-04-29
3. Semiconductor device with dynamical avalanche breakdown characteristics and method for manufacturing a semiconductor device [P] . 美国专利： US8274109B2 . 2012-09-25

机译：具有动态雪崩击穿特性的半导体器件及其制造方法
4. Avalanche-proof edge termination for planar semiconducting power component has high breakdown voltage and very uniform properties in edge region - has body zone of one conductor type with extension zone formed by additional doping in semiconducting body of opposite conductor type [P] . 德国专利： DE10001868A1 . 2001-08-02

机译：平面半导体功率组件的防雪崩边缘端接具有高击穿电压，并且边缘区域具有非常均匀的特性-具有一种导体类型的主体区域，而通过在相反导体类型的半导体主体中进行额外掺杂而形成了延伸区域
5. METHOD FOR FABRICATING GAN SEMICONDUCTOR DEVICE, CAPABLE OF INCREASING A BREAKDOWN VOLTAGE WHILE REDUCING A LEAKAGE CURRENT [P] . 韩国专利： KR20090099806A . 2009-09-23

机译：一种用于制造gan半导体器件的方法，该方法能够在降低漏电流的同时增加击穿电压