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贾利芳; 何志; 梁亚楠; 李迪; 张韵; 樊中朝; 王军喜;
中国电子学会;
半导体高电子迁移率晶体管; 氮化铝镓; 氮化镓; 制备工艺; 雪崩特性;
机译:具有p-GaN背势垒和Si Delta掺杂层的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的增强电特性
机译:具有高掺杂碳缓冲液的短通道AlGaN / GaN-On-Si-Si-Si Hemt的直流和RF特性的电解降低
机译:通过金属有机化学气相沉积法表征具有选择性再生长n-AlGaN的AlGaN / GaN p-n二极管及其在GaN基双极晶体管中的应用
机译:SiC衬底上亚微米级TiO2基AlGaN / GaN MOSHEMT的特性
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:在静水压力下具有变化的AlGaN厚度和成分的GaN / AlGaN / GaN双异质结构的电流与电压特性
机译:具有alsiN钝化的alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的性能
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:基于场板结构的Algan或gan紫外雪崩光电探测器及其制备方法
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
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