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二元内容可寻址存储器单元和三元内容可寻址存储器单元

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摘要

本发明提供一种二元内容可寻址存储器单元和三元内容可寻址存储器单元。二元内容可寻址存储器单元包括：存储电路；第一放电电路，根据第一存储比特和第一搜索比特，第一放电电路被配置为放电或不放电匹配线，其中第一放电电路包括：第一PMOS晶体管，第一PMOS晶体管的栅极用于接收第一存储比特和第一搜索比特的其中之一；以及第二放电电路，根据第二存储比特和第二搜索比特，第二放电电路被配置为放电或不放电匹配线，其中第二放电电路包括：第二PMOS晶体管，第二PMOS晶体管的栅极用于接收第二存储比特和搜索比特的其中之一。本发明所提出的二元CAM单元和三元TCAM单元，在执行搜索操作时具有较低的功率消耗。

著录项

公开/公告号CN104240755A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-12-24

原文格式PDF
申请/专利权人联发科技股份有限公司;
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申请/专利号CN201410244898.7
发明设计人林书玄;
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申请日2014-06-04
分类号G11C15/04(20060101);
代理机构11111 北京万慧达知识产权代理有限公司;
代理人张金芝;杨颖
地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号
入库时间 2023-12-17 04:53:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-06-30

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C15/04 申请公布日:20141224 申请日:20140604

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-01-14

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C15/04 申请日:20140604

实质审查的生效
2014-12-24

公开

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