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沟槽栅极型绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管器件

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一种沟槽栅极型绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管器件，具备：P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型体区内并肩设有呈方波形状的重掺杂的N型发射极区和重掺杂的P型发射区，在其两侧分别设有呈方波形状的第一纵向沟槽和第二纵向沟槽。第一纵向沟槽设有由耐压介质包裹的第一多晶硅层。对于第二纵向沟槽，在与重掺杂的P型集电极区平行的部分中填充有耐压介质包裹的第二多晶硅层，在位于由重掺杂的N型发射极区指向重掺杂的P型集电极区方向上的部分中填充有耐压介质包裹的第三多晶硅层和氧化物块体，且氧化物块体位于第三多晶硅层的上方，第二多晶硅层与第三多晶硅层连接。

著录项

公开/公告号CN110729345A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-24

原文格式PDF
申请/专利权人东南大学;
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申请/专利号CN201910933319.2
发明设计人张龙;曹梦玲;祝靖;孙伟锋;陆生礼;时龙兴;
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申请日2019-09-29
分类号
代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙);
代理人柏尚春
地址 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号
入库时间 2023-12-17 05:18:29

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-02-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20190929

实质审查的生效
2020-01-24

公开

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