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公开/公告号CN110754003A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-04
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201880040408.8
发明设计人 陆叶;岳云;陈全兴;杨斌;戈立新;廖肯;
申请日2018-06-11
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人吕世磊
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 06:51:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/93 申请日:20180611
实质审查的生效
2020-02-04
公开
机译: 栅极上的自对准触点(SAC)用于改善金属氧化物半导体(MOS)变容二极管的品质因数
机译: 门上自对准触点(SAC)以改善金属氧化物半导体(MOS)可变因素质量因子
机译:低损伤的完全自对准替代栅极工艺,用于制造100nm以下深栅极长度的GaAs金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:Ge稳定的四方ZrO_2作为栅极电介质,用于在Si衬底上制造的Ge金属氧化物半导体电容器
机译:Ge稳定的四方ZrO2作为栅极电介质,用于在Si衬底上制造的Ge金属氧化物半导体电容器
机译:22nm高性能和低功耗CMOS技术,具有完全耗尽的三栅极晶体管,自对准触点和高密度MIM电容器
机译:适用于大面积电子设备的自对准多晶硅栅极金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:采用全耗尽三栅极晶体管,自对准触点和高密度mIm电容器的22nm高性能和低功耗CmOs技术
机译:用于mOs(金属氧化物半导体)栅极绝缘子的辐射硬度测试的场致电子注入和碰撞电离(F4I)技术的开发