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载子注入控制快恢复二极管结构及制造方法

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本申请案涉及载子注入控制快恢复二极管结构及制造方法。提供半导体装置及制造方法。所述半导体装置包含通过降低载子存储控制电荷注入的电荷注入受控CIC快恢复二极管FRD。所述装置可具有第一导电性类型半导体衬底及漂移区域，所述漂移区域包含掺杂缓冲器区域、掺杂中间区域及掺杂场停止区域或载子存储区域。所述装置还可包含：第二导电性类型屏蔽区域，其包括环绕所述缓冲器区域(或在所述缓冲器区域下方基本上横向)的深结；及第二导电性类型浅结阳极区域，其与第二导电性类型阳极电极电接触。所述深结可具有环绕所述缓冲器区域的掺杂浓度范围以横向以及垂直地耗尽缓冲器电荷以防止过早装置击穿。所述第一导电性类型可为N型，且所述第二导电性类型可为P型。

著录项

公开/公告号CN110970485A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-07

原文格式PDF
申请/专利权人爱动力半导体公司;
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申请/专利号CN201910677818.X
发明设计人 H·伊尔马兹;
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申请日2019-07-25
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王允方
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 07:13:07

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20190725

实质审查的生效
2020-04-07

公开

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