法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-08
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F30/23 申请日:20191011
实质审查的生效
2020-04-14
公开
公开
机译: 制造能抑制杂质的扩散的电路集成设备的方法,该杂质可在N通道型MISFET和P通道型MISFET之间采用近似的双晶形结构,并在复合材料中采用双胶结结构,从而抑制杂质的相互扩散。
机译: 具有包括双势垒层的量子阱结构的半导体器件,采用该半导体器件的半导体激光器以及制造该半导体器件和半导体激光器的方法。
机译: 具有包括双阻挡层的量子阱结构的半导体器件,采用该半导体器件的半导体激光器以及制造该半导体器件和半导体激光器的方法。