首页> 中国专利> 一种紫外发光二极管及有效提高紫外发光二极管出光的方法

一种紫外发光二极管及有效提高紫外发光二极管出光的方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本专利涉及一种紫外发光二极管，包括透明电介质层叠结构，所述透明电介质层叠结构设置在发光结构之上，该透明电介质层叠结构包括上下堆叠的多层渐变折射率的透明电介质层；每层电介质层的厚度为d＝λ/4n。通过在出光面镀N层透明电介质作为增透膜，N层增透膜的作用是将有源层的光尽可能以垂直的方式透射出去，增大LED芯片的出光效率，实现高出光效率的紫外LED的制备。

著录项

公开/公告号CN110931618A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-03-27

原文格式PDF
申请/专利权人北京中科优唯科技有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201910858792.9
发明设计人王雪;崔志勇;张晓娜;张向鹏;薛建凯;郭凯;李勇强;文晋;
展开▼

申请日2019-09-11
分类号
代理机构北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人张宏伟
地址 100000 北京市大兴区经济技术开发区经海五路58号院5号楼7层708室
入库时间 2023-12-17 07:38:45

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-04-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/44 申请日:20190911

实质审查的生效
2020-03-27

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种紫外发光二极管及有效提高紫外发光二极管出光的方法 [P] . 中国专利： CN110931618A . 2020-03-27
2. 一种紫外光发光二极管外延片及其制备方法和应用 [P] . 中国专利： CN111785815A . 2020-10-16
3. Method for manufacturing vertical type light emitting diode, vertical type light emitting diode, method for manufacturing ultraviolet ray light emitting diode, and ultraviolet ray light emitting diode [P] . 美国专利： US10014442B2 . 2018-07-03

机译：垂直型发光二极管的制造方法，垂直型发光二极管，紫外线发光二极管的制造方法以及紫外线发光二极管
4. Method for Manufacturing Vertical Type Light Emitting Diode, Vertical Type Light Emitting Diode, Method for Manufacturing Ultraviolet Ray Light Emitting Diode, and Ultraviolet Ray Light Emitting Diode [P] . 美国专利： US2016099385A1 . 2016-04-07

机译：垂直型发光二极管的制造方法，垂直型发光二极管，紫外线发光二极管的制造方法以及紫外线发光二极管
5. METHOD FOR MANUFACTURING VERTICAL TYPE LIGHT EMITTING DIODE, VERTICAL TYPE LIGHT EMITTING DIODE, METHOD FOR MANUFACTURING ULTRAVIOLET RAY LIGHT EMITTING DIODE, AND ULTRAVIOLET RAY LIGHT EMITTING DIODE [P] . 世界知识产权组织专利： WO2014175564A1 . 2014-10-30

机译：垂直型发光二极管的制造方法，垂直型发光二极管，紫外线发光二极管的制造方法以及紫外线发光二极管