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一种小比导通电阻的MOSFET理想开关结构

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新型小比导通电阻的MOSFET理想开关结构，涉及半导体器件以及相关的工艺实现方法。本发明的新型小比导通电阻的MOSFET理想开关采用纵向、四面栅极的器件结构。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种新型小比导通电阻的MOSFET理想开关结构及其工艺实现方法，通过采用N型MOSFET、N‑漂移区和四面沟道的结构，以及半导体材料的选择，增大了导通电流密度，降低了导通电阻，突破了摩尔定律，消除了寄生BJT，大幅减小了器件面积；同时，优化了工艺实现流程，使器件实现的工艺简化，且不再受光刻精度的限制。

著录项

公开/公告号CN111106161A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-05

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN201911306118.6
发明设计人廖永波;李平;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;林凡;李垚森;邹佳瑞;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲;
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申请日2019-12-18
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/08(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构
代理人
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-12-17 08:17:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-29

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20191218

实质审查的生效
2020-05-05

公开

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