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使用集成接口和硅中介层的图形处理单元与高带宽存储器集成

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本申请涉及使用集成接口和硅中介层的图形处理单元与高带宽存储器集成。一种半导体装置组合件，其包含连接到衬底的第一侧的中介层的第二侧。多个互连件可连接到所述衬底的第二侧。第一和第二半导体装置直接连接到所述中介层的所述第一侧。所述中介层被配置成使所述第一半导体装置和所述第二半导体装置能够经由所述中介层彼此通信。所述中介层可以是包含互补型金属氧化物半导体电路的硅中介层。所述第一半导体装置可以是处理单元，且所述第二半导体装置可以是存储器装置，其可以是高带宽存储器装置。一种制造半导体装置组合件的方法包含将存储器装置和处理单元两者直接附接到中介层的第一侧，以及将所述中介层的第二侧连接到衬底。

著录项

公开/公告号CN111146192A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-12

原文格式PDF
申请/专利权人美光科技公司;
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申请/专利号CN201911066850.0
发明设计人 C·H·育;O·R·费伊;
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申请日2019-11-04
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址美国爱达荷州
入库时间 2023-12-17 09:16:50

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L25/18 申请日:20191104

实质审查的生效
2020-05-12

公开

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