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半导体材料纳米尺度各向异性吸收系数的测量装置及方法

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本发明公开了一种半导体材料纳米尺度各向异性吸收系数的测量装置及测量方法，测量方法包括：关闭狭缝，利用扫描开尔文探针显微镜测试无光条件下导电针尖上的接触电势差NLCPD；开启狭缝，利用扫描开尔文探针显微镜测试在当前发光波长下的导电针尖上的接触电势差LCPD；多次改变发光的波长值，分别测量对应的NLCPD和LCPD，得出无光条件下接触电势差随波长变化的关系曲线NLCPD(λ)和加光条件下接触电势差随波长变化的曲线LCPD(λ)；根据DCPD(λ)＝LCPD(λ)‑NLCPD(λ)得到差值随波长变化的曲线DCPD(λ)；计算当前偏振角度激发光的吸收系数α；改变激发光的偏振角度，计算对应偏振角度下的吸收系数，即得各向异性吸收系数。本发明使测量吸收系数的空间分辨率大大提高，实现了纳米尺度光吸收系数各向异性的测量。

著录项

公开/公告号CN111366540A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-03

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
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申请/专利号CN202010238050.9
发明设计人王亚坤;刘争晖;徐耿钊;宋文涛;张春玉;徐科蓓;徐科;
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申请日2020-03-30
分类号
代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司;
代理人孙伟峰
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
入库时间 2023-12-17 10:03:51

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-28

著录事项变更 IPC(主分类):G01N21/21 变更前: 变更后: 申请日:20200330

著录事项变更
2020-07-28

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/21 申请日:20200330

实质审查的生效
2020-07-03

公开

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