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嵌入式闪存的测试方法、测试设备和嵌入式闪存芯片

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摘要

本申请公开了一种嵌入式闪存的测试方法、测试设备和嵌入式闪存芯片，包括：接收第一指令；根据第一指令将闪存单元阵列中存储的目标数据写入至缓存模块，将目标数据从闪存单元阵列中擦除；接收第二指令；根据第二指令将目标数据从缓存模块回写入闪存单元阵列。本申请通过在对嵌入式进行烘烤前，将闪存单元阵列中存储的目标数据写入至缓存模块，将目标数据从闪存单元阵列中擦除，在对嵌入式闪存芯片进行烘烤后，将目标数据从缓存模块回写入闪存单元阵列，由于目标数据的读取、写入都是在嵌入式闪存芯片内部执行，速度较快，因此解决了相关技术中采用将目标数据备份在测试设备中所导致的目标数据在芯片和设备间读取、写入速度较慢的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN111312328A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN202010210573.2

  • 发明设计人 朱渊源;

    申请日2020-03-24

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人黎伟

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2023-12-17 10:16:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/56 申请日:20200324

    实质审查的生效

  • 2020-06-19

    公开

    公开

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