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金刚石纳米晶/氮掺杂碳化硅界面相的n型半导体复合薄膜及其制备方法

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本发明公开了一种金刚石纳米晶/氮掺杂碳化硅界面相的n型半导体复合薄膜及其制备方法，属于复合薄膜材料领域；该方法制得的复合薄膜由晶粒相和晶粒间相两部分组成，其中晶粒相为纳米或者超细纳米金刚石晶粒；晶粒间相（界面相）是氮原子置换碳原子的碳化硅晶粒相或者非晶相；晶粒间相（界面相）在金刚石晶粒之间形成分隔层；该复合薄膜具有n型半导体性能；复合薄膜的制备包括在基底表面植入高密度分布的晶种，利用微波等离子气相沉积形成金刚石晶核，共同沉积金刚石晶粒相和氮掺杂碳化硅界面相，生长出纳米金刚石复合薄膜，以及进行热处理消除薄膜应力和均化晶粒尺寸。

著录项

公开/公告号CN111593318A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-28

原文格式PDF
申请/专利权人内蒙古科技大学;
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申请/专利号CN202010667428.7
发明设计人刘学杰;诸葛晨昱;孙士阳;谭心;
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申请日2020-07-13
分类号C23C16/02(20060101);C23C16/27(20060101);C23C16/32(20060101);C23C16/56(20060101);C23C16/455(20060101);C23C16/511(20060101);H01L21/04(20060101);
代理机构11265 北京挺立专利事务所(普通合伙);
代理人王莉
地址 014010 内蒙古自治区包头市昆都仑区阿尔丁大街7号内蒙古科技大学
入库时间 2023-12-17 11:20:09

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2020-08-28

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