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一种二维铁磁材料Fe3GeTe2和掺Co的Fe3-xCoxGeTe2单晶生长方法

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本发明公开了一种二维铁磁材料Fe3GeTe2和掺Co的Fe3‑xCoxGeTe2单晶生长方法，所述Fe3GeTe2是Fe、Ge和Te元素以3:1:2化学计量比形成的化合物，它是一种二维铁磁材料，容易机械剥离、相对难氧化，同时具有较高的居里温度，强的磁各向异性；掺杂Co取代部分Fe的位置，用于研究其居里温度TC和磁性的变化；制备方法是化学气相输运技术，在碘作为载体下，在恒定温度的石英管中生长，之后缓慢退火。本发明所得到的单晶块体组分均匀，机械剥离得到的纳米片尺寸大小在μm量级，厚度在nm量级，有利于对材料进行光刻等微加工工艺，为制备光电子、磁异质结等器件提供更简单易行的制备工艺。

著录项

公开/公告号CN111593402A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-28

原文格式PDF
申请/专利权人李焱;
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申请/专利号CN202010640949.3
发明设计人李焱;
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申请日2020-07-06
分类号C30B25/00(20060101);C30B29/46(20060101);
代理机构32305 江苏法德东恒律师事务所;
代理人刘林
地址 433300 湖北省荆州市监利县龚场镇渡口村5-29号
入库时间 2023-12-17 11:20:09

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2020-08-28

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