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一种GaInP/GaAs/HIT三结叠层太阳能电池及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种GaInP/GaAs/HIT三结叠层太阳能电池及其制备方法，包括依次叠层设置的底电池、中间电池和顶电池，所述底电池和中间电池通过第一隧穿结连接，所述中间电池和顶电池通过第二隧穿结连接；所述底电池为HIT太阳能电池，即HIT子电池；所述中电池为GaAs太阳能电池，所述顶电池为GaInP太阳能电池，所述顶电池和中电池形成为GaInP/GaAs双结子电池。本发明的GaInP/GaAs/HIT三结叠层太阳能电池具有电转换效率高、稳定性好、成本低的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN111524992A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山德华芯片技术有限公司;

    申请/专利号CN202010312258.0

  • 发明设计人 方亮;肖祖峰;黄嘉敬;何键华;胡丹;

    申请日2020-04-20

  • 分类号H01L31/078(20120101);H01L31/0747(20120101);H01L31/18(20060101);H01L31/20(20060101);

  • 代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人冯炳辉

  • 地址 528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层

  • 入库时间 2023-12-17 11:32:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-11

    公开

    公开

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