首页> 中国专利> 使用电子束检验及具有实时情报的深度学习以减少妨害的缺陷探索

使用电子束检验及具有实时情报的深度学习以减少妨害的缺陷探索

摘要

深度学习算法用于例如半导体晶片的缺陷探索。用晶片检验工具检验关照区域。所述深度学习算法用于识别所述关照区域中的缺陷且对其进行分类。此可针对其余关照区域重复,但可略过类似关照区域以增加处理量。

著录项

  • 公开/公告号CN111542915A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 科磊股份有限公司;

    申请/专利号CN201980007147.4

  • 发明设计人 A·亚提;

    申请日2019-01-04

  • 分类号H01L21/66(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人刘丽楠

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 11:41:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-14

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号