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基于来自光学检验及光学重检的缺陷属性的用于电子束重检的缺陷取样

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摘要

本发明提供用于产生缺陷样本用于电子束重检的各种实施例。一种方法包含逐缺陷地组合通过在其上检测到缺陷的晶片的光学检验确定的缺陷中的一或多个第一属性与通过所述晶片的光学重检确定的所述缺陷中的一或多个第二属性，借此产生所述缺陷的组合属性。所述方法还包含基于所述缺陷的所述组合属性将所述缺陷分离为级别。所述级别对应于不同缺陷分类。此外，所述方法包含基于所述缺陷已被分离为的所述级别对所述缺陷中的一或多者取样用于所述电子束重检，借此产生缺陷重检样本用于所述电子束重检。

著录项

公开/公告号CN106461581B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-31

原文格式PDF
申请/专利权人科磊股份有限公司;
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申请/专利号CN201580026552.2
发明设计人 R·戈莎尹;S·乔希;
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申请日2015-05-15
分类号G01N23/2251(20180101);G01N21/95(20060101);H01L21/66(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人张世俊
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:16:50

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-08-31

授权

授权
2017-06-16

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N23/225 申请日:20150515

实质审查的生效
2017-06-16

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 23/225 申请日:20150515

实质审查的生效
2017-02-22

公开

公开
2017-02-22

公开

公开

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