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薄膜半导体器件、薄膜半导体器件的制造方法、液晶显示装置、液晶显示装置的制造方法、电子设备,电子设备的制造方法和薄膜淀积方法

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摘要

为了通过可使用廉价的玻璃基板的低温工艺来制造高性能的薄膜半导体器件,在通过使用了作为原料气体的硅烷和作为稀释气体的氩的PECVD法形成结晶性高的混晶质半导体膜之后,用激光照射等方法提高结晶性来制造薄膜半导体器件,使用该薄膜半导体器件制成液晶显示装置或电子设备。在将本发明应用于有源矩阵基板的液晶显示装置的制造时,可容易地而且稳定地制造大型和高质量的液晶显示装置。此外,在应用于其他的电子电路的制造时,也可容易地而且稳定地制造高质量的电子电路。

著录项

  • 公开/公告号CN1173948A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1998-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 精工爱普生株式会社;

    申请/专利号CN96191902.7

  • 发明设计人 宫坂光敏;

    申请日1996-08-07

  • 分类号H01L21/205;H01L21/786;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人杨凯;叶恺东

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 13:04:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-09-30

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/205 授权公告日:20021225 终止日期:20140807 申请日:19960807

    专利权的终止

  • 2002-12-25

    授权

    授权

  • 1998-03-04

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1998-02-18

    公开

    公开

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