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半导体器件制造过程中的构图方法

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半导体器件制造过程中的构图方法,该方法在半导体基片上的绝缘膜上形成化学增强系抗蚀剂层,构图该化学增强系抗蚀剂层,形成开口部分,将该构图过的化学增强系抗蚀剂层作为掩模,湿法腐蚀半导体基片上的绝缘膜,构图绝缘膜。该方法在进行湿法腐蚀前,在构图过的化学增强系抗蚀剂层上形成进行表面处理的不溶化层,提高化学增强系抗蚀剂的耐湿腐蚀性。因此,可以防止化学增强系抗蚀剂膜的抗蚀剂图形变形,从而在绝缘膜上形成期望的良好开口图形。

著录项

公开/公告号CN1236973A

专利类型发明专利
公开/公告日1999-12-01

原文格式PDF
申请/专利权人日本电气株式会社;
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申请/专利号CN99107590.0
发明设计人伊藤胜志;
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申请日1999-05-25
分类号H01L21/027;G03F7/00;
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人穆德骏;余朦
地址日本东京
入库时间 2023-12-17 13:33:50

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2004-07-28

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2003-06-11

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20030418 申请日:19990525

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
1999-12-01

公开

公开
1999-10-13

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效

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中文文献
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