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测量薄膜,特别是半导体衬底上的感光树脂薄膜的厚度的方法与装置

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摘要

一种用来测量衬底,如半导体晶片上的透明薄膜,如感光树脂的厚度或折射率的横向变化的方法和装置。该薄膜被包括多种波长的光束照明。代表来自薄膜的各波长反射光的强度变化的信号被按主频分解。为控制薄膜的涂敷或去除实时使用横向厚度变化测量。

著录项

公开/公告号CN1314991A

专利类型发明专利
公开/公告日2001-09-26

原文格式PDF
申请/专利权人特维特过程控制技术有限公司;
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申请/专利号CN99810210.5
发明设计人奥夫·杜·努尔;
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申请日1999-08-26
分类号G01B9/02;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人李德山
地址以色列莫沙阿瓦
入库时间 2023-12-17 14:02:43

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-11-10

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01B9/02 授权公告日:20040526 终止日期:20090928 申请日:19990826

专利权的终止
2004-05-26

授权

授权
2001-09-26

实质审查的生效

实质审查的生效
2001-09-26

公开

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