公开/公告号CN1356291A
专利类型发明专利
公开/公告日2002-07-03
原文格式PDF
申请/专利权人 中国核动力研究设计院;
申请/专利号CN01143480.5
申请日2001-12-29
分类号C04B35/58;C04B35/64;
代理机构核工业专利法律事务所;
代理人高尚梅;代平
地址 610041 四川省成都市一环路南三段28号
入库时间 2023-12-17 14:19:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-01-14
专利权有效期届满 IPC(主分类):C04B35/58 专利号:ZL011434805 申请日:20011229 授权公告日:20031231
专利权的终止
2003-12-31
授权
授权
2002-07-03
公开
公开
2002-04-17
实质审查的生效
实质审查的生效
技术领域
本发明属于一种陶瓷材料的制备方法,具体地说是一种二硼化锆(ZrB2)或二硼化钛(TiB2)致密陶瓷材料无压烧结的方法。
背景技术
二硼化锆和二硼化钛不仅具有高熔点、高硬度、优异的耐腐蚀性和抗氧化性,而且具有良好的导电性和导热性,因此有很广泛的应用前景。由于ZrB2和TiB2是键能极强的共价键化合物,难于得到高密度的烧结体。目前制备ZrB2和TiB2致密陶瓷材料常用的方法是热压,典型的热压工艺参数为压力为1-2GPa;温度为1600-1800℃;压制时间为1-2h。为了改善ZrB2和TiB2的热压性能,加入一些烧结助剂,常用的烧结助剂为过渡金属的硼化物如CoB、FeB、Ni3B4、VB2,CrB2,NbB2等。通过热压,ZrB2和TiB2陶瓷材料的密度可达到95-99%T.D.。
目前对在ZrB2和TiB2陶瓷材料加入烧结助剂的常压烧结方法也进行了一些研究。加入的烧结助剂为氧化物类,如ZrO2、Al2O3,Y2O3等,加入量在30wt%以上。当烧结温度在1900℃以上时,烧结体密度可达到90%左右。上述方法存在以下问题:1.采用热压,生产效率低,成本极高。2.常压烧结中的烧结助剂含量太多,大大低降了ZrB2和TiB2的性能,如电导率等,而且烧结密度较低,因而影响了ZrB2和TiB2材料的使用。
发明内容
本发明的目的是解决ZrB2和TiB2陶瓷材料常压烧结困难的问题,提供一种二硼化锆和二硼化钛致密陶瓷材料无压烧结的方法,降低生产成本。
本发明是这样实现的:以平均粒径1μm-2μm的ZrB2粉末或TiB2粉末为原料,采用ZrH2或TiH2作烧结助剂,ZrH2或TiH2的加入量为ZrB2粉末或TiB2粉末原料的3-5wt%,按常规工艺混料、成型后,于真空中烧结,真空度要求优于5×10-2Pa,烧结温度为1700-1900℃,烧结时间为2-3小时,可得到烧结密度达到94-96%T.D.的致密ZrB2或TiB2陶瓷材料。
本发明的效果在于:由于烧结助剂在ZrB2粉末或TiB2粉末原料中的含量少,不影响ZrB2和TiB2材料的性能,如熔点、硬度等。而且是无压烧结,生产效率高,成本下降。
具体实施方式
实施例一。
1.以平均粒度1μm左右的ZrB2粉末为原料,加入烧结助剂ZrH2,ZrH2的加入量为ZrB2粉末原料的3wt%,充分混合后,在500Mpa压力下成型,使生坯密度达到60%T.D.以上。
2.在真空气氛中烧结,真空度为3×10-2Pa,烧结温度为1900℃,烧结时间为2h,ZrB2烧结体的密度达到94%T.D.以上。
实施例二。
1.以平均粒度1μm左右的ZrB2粉末为原料,加入烧结助剂ZrH2,ZrH2的加入量为ZrB2粉末原料的3wt%,充分混合后,在500Mpa压力下成型,使生坯密度达到60%T.D.以上。
2.在真空气氛中烧结,真空度为4×10-2Pa,烧结温度为1800℃,烧结时间为2.5h,ZrB2烧结体的密度达到94%T.D.以上。
实施例三。
1.以平均粒度在2μm左右的TiB2粉末为原料,加入烧结助剂TiH2,TiH2的加入量为TiB2粉末原料的4wt%,充分混合后,在500Mpa压力下成型,使生坯密度达到60%T.D.以上。
2.在真空气氛中烧结,真空度为3×10-2Pa,烧结温度为1700℃,烧结时间为2h,TiB2烧结体的密度达到94%T.D.以上。
实施例四。
1.以平均粒度在2μm左右的TiB2粉末为原料,加入烧结助剂TiH2,TiH2的加入量为TiB2粉末原料的5wt%,充分混合后,在500Mpa压力下成型,使生坯密度达到60%T.D.以上。
2.在真空气氛中烧结,真空度4×10-2Pa,烧结温度为1900℃,烧结时间为3h,TiB2烧结体的密度达到94%T.D.以上。
机译: 水过滤器,特别是雨水过滤器,具有带有硬化层的筛网,其由碳化钛,氮化钛,二硼化钛,碳化锆,二硼化锆和碳化铌形成
机译: 制备二硼化锆和二硼化钛粉的一步法
机译: 制备无压烧结的二硼化锆/碳化硅复合体的方法