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利用电沉积技术制备可调电子和光子带隙的三维半导体量子点光子晶体的方法

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利用电沉积技术制备可调电子和光子带隙的三维半导体量子点光子晶体的方法:由胶体化学方法制备II－VI族半导体CdSe、CdS或ZnO等量子点,得到单分散性高的电子带隙可调的半导体量子点;用胶体化学方法,分别通过正硅酸乙酯水解和苯乙烯单体聚合制备尺寸在200－400纳米的溶胶SiO2和PS小球;通过自然沉积法,由溶胶SiO2和PS小球自组织晶化,沉积在ITO导电玻璃上制备成三维光子晶体模板;然后用电沉积法将半导体量子点填充入PS模板。本发明方法得到的CdSe等光子晶体的电子带隙可调,使其覆盖可见光范围,本发明材料在器件应用上有了更为广泛的空间。

著录项

公开/公告号CN1387069A

专利类型发明专利
公开/公告日2002-12-25

原文格式PDF
申请/专利权人南京大学;
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申请/专利号CN02137805.3
发明设计人徐岭;张宇;黄信凡;陈坤基;徐骏;李伟;李明海;马懿;
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申请日2002-06-20
分类号G02F1/01;G02F1/015;
代理机构32207 南京知识律师事务所;
代理人陈建和
地址 210093 江苏省南京市汉口路22号
入库时间 2023-12-17 14:32:02

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2005-10-05

发明专利申请公布后的驳回

发明专利申请公布后的驳回
2003-03-19

实质审查的生效

实质审查的生效
2002-12-25

公开

公开
2002-09-25

实质审查的生效

实质审查的生效

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专利
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外文文献

1. 利用电沉积技术制备可调电子和光子带隙的三维半导体量子点光子晶体的方法 [P] . 中国专利： CN1387069A . 2002-12-25
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