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具有晕圈源极/漏极扩散的芯片上的无晕圈非整流接触

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摘要

一种半导体芯片包含具有整流接触扩散和非整流接触扩散的半导体基底。晕圈扩散邻近整流接触扩散，而无晕圈扩散邻近非整流接触扩散。为了提高击穿抵抗力，整流接触扩散可以是FET的源极/漏极扩散。非整流接触扩散可以是FET体接触、横向二极管接触或电阻或电容接触。避免非整流接触的晕圈，降低了串联电阻并且改进了器件特征。在具有邻近扩散的晕圈的器件的芯片上的另一个实施例中，无晕圈扩散邻近横向二极管的整流接触扩散，从而显著改进了二极管的理想度并且提高了击穿电压。

著录项

公开/公告号CN1434983A

专利类型发明专利
公开/公告日2003-08-06

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN01810810.5
发明设计人 J·卡尔普;J·纳亚克;W·劳施;M·希罗尼;S·沃尔德曼;N·萨姆德默;
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申请日2001-05-23
分类号H01L29/786;H01L29/10;
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人李峥;于静
地址美国纽约
入库时间 2023-12-17 14:52:52

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2005-12-28

授权

授权
2003-10-22

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-08-06

公开

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专利
中文文献
外文文献

1. 具有晕圈源极/漏极扩散的芯片上的无晕圈非整流接触 [P] . 中国专利： CN1234175C . 2005.12.28
2. 具有晕圈源极/漏极扩散的芯片上的无晕圈非整流接触 [P] . 中国专利： CN1434983A . 2003-08-06
3. HALO-FREE NON-RECTIFYING CONTACT ON CHIP WITH HALO SOURCE/DRAIN DIFFUSION [P] . 韩国专利： KR100500805B1 . 2005-07-12

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4. HALO-FREE NON-RECTIFYING CONTACT ON CHIP WITH HALO SOURCE/DRAIN DIFFUSION [P] . 韩国专利： KR20030028478A . 2003-04-08

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