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半导体器件、生成半导体器件用图形的方法、制造半导体器件的方法及生成半导体器件用图形的装置

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摘要

本发明的目的是有效地吸收电源噪声并实现电路的稳定工作。本发明提供了一种半导体器件，包括：包括MOS结构的旁路电容，具有一栅极电极，该栅极电极被形成为从电源线区延伸到在邻接电源线区并不具有其它功能层的空区下设置的部分并经由电容绝缘膜形成于具有一种导电类型的扩散区上；和形成在地线区之下并固定基板电势的基板接触，其中旁路电容具有与在栅极电极表面上形成的电源线接触的触点并具有彼此连接的具有一种导电类型的扩散区和基板接触的扩散区。

著录项

公开/公告号CN1589495A

专利类型发明专利
公开/公告日2005-03-02

原文格式PDF
申请/专利权人松下电器产业株式会社;
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申请/专利号CN02823197.X
发明设计人伊藤光实;泽田征俊;本间顺子;岛崎健二;辻川洋行;辨野宏;
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申请日2002-11-21
分类号H01L21/82;H01L27/04;H01L27/08;H01L29/78;
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波;侯宇
地址日本大阪府
入库时间 2023-12-17 16:00:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2007-12-12

授权

授权
2005-05-04

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-03-02

公开

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