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磁阻式随机存取存储器技术中改善磁堆栈表面粗糙度的双层化学机械抛光方法

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本发明公开了一种用以制造磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元的方法，其可解决因隧道接合层与磁性层间界面粗糙而产生的尼尔耦合问题。所述方法包含了在导体上沉积第一与第二阻障层，其中该第一阻障层的抛光速率与该第二阻障层的抛光速率不同；接着利用化学机械抛光(CMP)方式本质上移除该第二阻障层，而留下非常平滑且均匀的第一阻障层。当接着在经抛光的第一阻障层上形成磁性堆栈时，界面粗糙度便不会转移至该隧道接合层，因此不会产生磁化改变。

著录项

公开/公告号CN1729538A

专利类型发明专利
公开/公告日2006-02-01

原文格式PDF
申请/专利权人因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司;
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申请/专利号CN200380102827.3
发明设计人 G·科斯特里尼;J·P·赫梅尔;M·克里斯南;刘嘉成;
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申请日2003-11-05
分类号G11C11/16;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张志醒
地址德国慕尼黑
入库时间 2023-12-17 16:55:11

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-09-23

专利权的视为放弃

专利权的视为放弃
2006-03-29

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-02-01

公开

公开

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