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MRAM体系结构和利用所述体系结构来制备MRAM存储器的方法和系统

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本发明公开了一种用于提供磁存储器中的磁存储器单元的方法和系统。所述方法和系统包括提供每个磁存储器元件，为每个磁存储器元件提供第一写入线和第二写入线。磁存储器元件具有顶部和底部。第一写入线在磁存储器元件之下并且与磁存储器元件的底部电连接。第二写入线在磁存储器元件之上。第二写入线与磁存储器元件电绝缘并且与第一写入线成一角度。所述磁存储器单元允许简化的制备过程，减小的单元尺寸以及改进的编程效率。

著录项

公开/公告号CN1791984A

专利类型发明专利
公开/公告日2006-06-21

原文格式PDF
申请/专利权人磁旋科技公司;
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申请/专利号CN200480013279.1
发明设计人石西增;
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申请日2004-03-26
分类号H01L29/76;
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 17:29:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-01-27

发明专利申请公布后的驳回

发明专利申请公布后的驳回
2006-08-16

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-06-21

公开

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