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超薄SOI/SGOI衬底上的超高速Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管

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摘要

一种硅和硅锗基半导体MODFET器件设计以及制造方法。此MODFET设计包括高迁移率层结构，能够超高速、低噪声用于包括RF、微波、亚毫米波、以及毫米波的各种通信用途。外延的场效应晶体管层结构包括组合硅和硅锗层的高迁移率应变n沟道和p沟道晶体管的临界(垂直和横向)器件按比例缩小以及层结构设计，用以在超薄的SOI或SGOI衬底上形成能够得到大幅度改善了的RF性能的最佳调制掺杂的异质结构。

著录项

公开/公告号CN1894782A

专利类型发明专利
公开/公告日2007-01-10

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN200480024784.6
发明设计人赵泽安;C·欧阳齐庆;
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申请日2004-08-27
分类号H01L21/335(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/778(20060101);H01L29/786(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人王永刚
地址美国纽约
入库时间 2023-12-17 18:08:16

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-12-05

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/335 登记生效日:20171115 变更前: 变更后: 申请日:20040827

专利申请权、专利权的转移
2009-07-22

授权

授权
2007-03-07

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-01-10

公开

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专利
中文文献
外文文献

1. 超薄SOI/SGOI衬底上的超高速Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管 [P] . 中国专利： CN1894782A . 2007-01-10
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