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静态随机存取存储器宏和双端口静态随机存取存储器装置

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摘要

本发明提供一种静态随机存取存储器(SRAM)宏和双端口静态随机存取存储器装置，该静态随机存取存储器宏包含：一单元阵列有由多个位线及多个字线所寻址的一个或多个SRAM单元；一个或多个参考单元耦合到至少一个参考位线，和耦合到寻址所述SRAM单元的该字线；以及至少一个感测放大器，有接收产生自一选择的SRAM单元的一感测电流的第一端，和接收该参考单元所产生的参考电流的第二端，该参考单元由耦合至该选择的SRAM单元的相同字线所控制，以比较该感测电流与该参考电流来产生代表该选择的SRAM单元的逻辑状态的输出信号。本发明的双端口SRAM的读取操作速度与感测限度可以显著地改进，而不需牺牲大量的装置面积。

著录项

公开/公告号CN101154442A

专利类型发明专利
公开/公告日2008-04-02

原文格式PDF
申请/专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;
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申请/专利号CN200710084684.8
发明设计人廖忠志;
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申请日2007-03-01
分类号G11C11/413;G11C11/416;G11C11/419;
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;
代理人陈晨
地址中国台湾新竹市
入库时间 2023-12-17 20:06:53

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-09-14

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G11C11/413 公开日:20080402 申请日:20070301

发明专利申请公布后的驳回
2008-05-28

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-04-02

公开

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