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含二茂铁的导电聚合物、使用该导电聚合物的有机存储装置以及该有机存储装置的制造方法

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本发明披露了含二茂铁的导电聚合物、使用该导电聚合物的有机存储装置和制造该有机存储装置的方法。所述导电聚合物可包括芴基重复单元、噻吩基重复单元和二芳基二茂铁基重复单元。所述有机存储装置可具有以下优点：快速的转换时间、降低的工作电压、降低的制造成本和提高的可靠性。基于这些优点，所述有机存储装置可用作高度集成、大容量的存储装置。

著录项

公开/公告号CN101182374A

专利类型发明专利
公开/公告日2008-05-21

原文格式PDF
申请/专利权人三星电子株式会社;
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申请/专利号CN200710154320.2
发明设计人李光熙;崔太林;李相均;
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申请日2007-09-17
分类号C08G79/00;H01B1/12;H01L51/30;
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人吴培善
地址韩国京畿道
入库时间 2023-12-17 20:06:53

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-08-04

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C08G79/00 公开日:20080521 申请日:20070917

发明专利申请公布后的视为撤回
2008-05-21

公开

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1. 含二茂铁的导电聚合物、使用该导电聚合物的有机存储装置以及该有机存储装置的制造方法 [P] . 中国专利： CN101182374A . 2008-05-21
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