首页> 中国专利> 基于薄膜硅的多结光伏器件的纳米晶硅和非晶锗混合型吸收层

基于薄膜硅的多结光伏器件的纳米晶硅和非晶锗混合型吸收层

页面导航

摘要

本发明公开了一个p－i－n型光伏电池，该光伏电池包含一个新颖的带隙较窄的i层吸收层。该吸收层的前部分由纳米晶硅制成，中间部分由非晶锗材料制成，后部分由非晶锗硅制成。这种含有混合型i层的光伏电池，可以很好地作为基于硅薄膜的多结光伏器件的底层电池。它的性能优良，稳定性强，生产成本低。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-01-11

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/075 公开日:20080806 申请日:20070129

发明专利申请公布后的视为撤回
2011-07-27

文件的公告送达 IPC(主分类):H01L31/075 收件人:赛瑞能太阳能光电技术(北京)有限公司马昕文件名称:视为撤回通知书申请日:20070129

文件的公告送达
2010-11-10

文件的公告送达 IPC(主分类):H01L31/075 收件人:赛瑞能太阳能光电技术(北京)有限公司文件名称:第一次审查意见通知书申请日:20070129

文件的公告送达
2010-02-03

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-08-06

公开

公开

1. 基于薄膜硅的多结光伏器件的纳米晶硅和非晶锗混合型吸收层 [P] . 中国专利： CN101237000A . 2008-08-06
2. 一种制备非晶硅/非晶锗硅叠层太阳能电池薄膜的装置 [P] . 中国专利： CN103022272A . 2013-04-03
3. Photoconductive registration element - comprising carrier with amorphous layer with first silicon and germanium contg. zone and second photoconductive silicon contg. zone [P] . 法国专利： FR2524661A1 . 1983-10-07

机译：光电导配准元件-包括带有非晶层的载体，该非晶层具有第一硅和锗contg。区和第二光电导硅续。区
4. METHOD FOR PRODUCTION OF RE-EMITTING TEXTURED THIN FILMS BASED ON AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON WITH SILICON NANOCRYSTALS [P] . 俄罗斯专利： RU2619446C1 . 2017-05-15

机译：基于非晶态加氢硅和硅纳米晶的减薄纹理薄膜的制备方法
5. NANO-CRYSTAL SILICON LAYERS USING PLASMA DEPOSITION TECHNOLOGY TO CONTINUOUSLY DEPOSIT A NANO CRYSTAL SILICON THIN FILM AND A MULTILAYER INSULATION LAYER, A NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND FORMING METHODS THEREOF [P] . 韩国专利： KR20100069790A . 2010-06-25

机译：利用等离子体沉积技术连续沉积纳米晶硅薄膜和多层绝缘层，非易失性存储器件及其形成方法的纳米晶硅层