公开/公告号CN101305315A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-11-12
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;
申请/专利号CN200680042205.X
申请日2006-10-26
分类号G02F1/1333;G02F1/1335;G02F1/1341;G02F1/1343;G02F1/1345;G06K19/07;G06K19/077;H01Q13/08;
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人沈昭坤
地址 日本神奈川县
入库时间 2023-12-17 21:06:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-05-19
授权
授权
2009-01-14
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-11-12
公开
公开
机译: 包括具有去耦层的柔性衬底的半导体结构,包括该柔性衬底的器件以及形成该结构和器件的方法
机译: 包括具有梯度单晶层的柔性衬底的半导体结构及其制造方法以及包括该结构的半导体器件
机译: 包括具有梯度单晶层的柔性衬底的半导体结构及其制造方法以及包括该结构的半导体器件