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半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序

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由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、以及对半导体器件的不良进行分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)具有分析区域设定部，该分析区域设定部通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出起因于不良的反应区域，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。由此，实现了一种能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

著录项

公开/公告号CN101484818A

专利类型发明专利
公开/公告日2009-07-15

原文格式PDF
申请/专利权人浜松光子学株式会社;
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申请/专利号CN200680054964.8
发明设计人真岛敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏;
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申请日2006-10-23
分类号G01R31/311(20060101);G01N21/956(20060101);
代理机构11322 北京尚诚知识产权代理有限公司;
代理人龙淳
地址日本静冈县
入库时间 2023-12-17 22:18:57

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-12-21

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N21/956 公开日:20090715 申请日:20061023

发明专利申请公布后的视为撤回
2009-09-09

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-07-15

公开

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