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具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池

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一种具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池，其包括一基板、一第一穿透电膜、一具有a－SiN的第一光电转换层、一具有a－Si的第二光电转换层、一具有a－SiSn的第三光电转换层、一第二穿透电膜及一上电极；此第一光电转换层可调变的能带宽是介于1.7ev至2.3ev之间；此第二光电转换层可调变的能带宽是为1.7ev左右，而此第三光电转换层可调变的能带宽是介于0.08ev至1.1ev之间；借此，本发明兼具吸收范围大、转换效率高与制造成本较低等优点及功效。

著录项

公开/公告号CN101533866A

专利类型发明专利
公开/公告日2009-09-16

原文格式PDF
申请/专利权人东捷科技股份有限公司;
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申请/专利号CN200810084631.0
发明设计人杨燕智;简永杰;
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申请日2008-03-14
分类号H01L31/075;
代理机构天津三元专利商标代理有限责任公司;
代理人钱凯
地址中国台湾
入库时间 2023-12-17 22:36:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-03-23

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/075 公开日:20090916 申请日:20080314

发明专利申请公布后的视为撤回
2009-11-11

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-09-16

公开

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