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SiC半导体用欧姆电极、SiC半导体用欧姆电极的制造方法、半导体装置以及半导体装置的制造方法

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本发明公开了包含Si和Ni的用于SiC半导体的欧姆电极(2)，或者包含Si和Ni并且另外包含Au或Pt的用于SiC半导体的欧姆电极(2)；所述欧姆电极(2)的制造方法；利用所述欧姆电极(2)的半导体装置；以及所述半导体装置的制造方法。

著录项

公开/公告号CN101536152A

专利类型发明专利
公开/公告日2009-09-16

原文格式PDF
申请/专利权人住友电气工业株式会社;
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申请/专利号CN200780040752.9
发明设计人藤川一洋;玉祖秀人;
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申请日2007-08-13
分类号H01L21/28;
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人陈海涛
地址日本大阪府
入库时间 2023-12-17 22:36:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-12-01

授权

授权
2009-11-11

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-09-16

公开

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