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一种具有高电致应变特性的锆酸铅基反铁电薄膜及其制备方法

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本发明涉及一种具有高电致应变特性的锆酸铅基反铁电薄膜及其制备方法。本发明的锆酸铅基反铁电薄膜以LaNiO3薄膜材料作为底电极材料，使制得的锆酸铅基反铁电薄膜既具有较高的电致应变量又具有较小的相变电场，能够在电可调微电子器件中应用。

著录项

公开/公告号CN101550025A

专利类型发明专利
公开/公告日2009-10-07

原文格式PDF
申请/专利权人同济大学;
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申请/专利号CN200910051917.3
发明设计人翟继卫;郝喜红;
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申请日2009-05-25
分类号C04B41/50(20060101);C23C14/34(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所;
代理人许亦琳;余明伟
地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号
入库时间 2023-12-17 22:44:28

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-07-20

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B41/50 授权公告日:20120725 终止日期:20150525 申请日:20090525

专利权的终止
2012-07-25

授权

授权
2009-12-02

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-10-07

公开

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1. 一种具有高电致应变特性的锆酸铅基反铁电薄膜及其制备方法 [P] . 中国专利： CN101550025B . 2012.07.25
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