首页> 中国专利> 大气压等离子体增强化学气相沉积方法

大气压等离子体增强化学气相沉积方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

一种通过以下步骤在衬底的暴露表面上沉积膜涂层的方法：(a)提供具有至少一个暴露表面的衬底；和(b)使气体混合物流入到与所述衬底的至少一个暴露表面接触的大气压等离子体中，以在衬底上形成等离子体增强化学气相沉积涂层，该气体混合物包含氧化气体和选自以下各项的前体：乙烯基烷氧基硅烷、乙烯基烷基硅烷、乙烯基烷基烷氧基硅烷、烯丙基烷氧基硅烷、烯丙基烷基硅烷、烯丙基烷基烷氧基硅烷、链烯基烷氧基硅烷、链烯基烷基硅烷和链烯基烷基烷氧基硅烷，气体混合物的氧含量大于10体积％。

著录项

公开/公告号CN101772588A

专利类型发明专利
公开/公告日2010-07-07

原文格式PDF
申请/专利权人陶氏环球技术公司;
展开▼

申请/专利号CN200880100825.3
发明设计人克里斯蒂娜·A·罗顿;约翰·M·瓦拉科姆斯基;
展开▼

申请日2008-07-15
分类号C23C16/40;B05D7/24;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人陈平
地址美国密歇根
入库时间 2023-12-18 00:10:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-05-30

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/40 公开日:20100707 申请日:20080715

发明专利申请公布后的视为撤回
2010-09-08

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/40 申请日:20080715

实质审查的生效
2010-07-07

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 大气压等离子体增强化学气相沉积方法 [P] . 中国专利： CN101772588A . 2010-07-07
2. 等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法 [P] . 中国专利： CN105154856B . 2018.08.10
3. PROCESS AND APARATUS FOR ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2217366A1 . 2010-08-18

机译：大气压力等离子体增强化学气相沉积的方法和装置
4. PROCESS AND APPARATUS FOR ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION COATING OF A SUBSTRATE [P] . 美国专利： US2010255216A1 . 2010-10-07

机译：基质的大气压力等离子体增强化学气相沉积涂层的方法和装置
5. PROCESS AND APARATUS FOR ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION [P] . CA2705577A1 . 2009-06-11

机译：大气压力等离子体增强化学气相沉积的方法和装置