首页> 中国专利> 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法

在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

一种在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：在普通玻璃衬底上用磁控溅射沉积制作铝薄膜，形成样品；步骤2：将样品在空气中暴露以制作氧化膜；步骤3：将制作有氧化膜样品的表面利用磁控溅射沉积非晶硅薄膜；步骤4：利用快速热处理设备，将制作有非晶硅薄膜的样品进行退火处理，完成多晶硅薄膜的制作。

著录项

公开/公告号CN101740358A

专利类型发明专利
公开/公告日2010-06-16

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
展开▼

申请/专利号CN200910241692.8
发明设计人黄添懋;陈诺夫;施辉伟;尹志岗;吴金良;王彦硕;汪宇;张汉;
展开▼

申请日2009-12-02
分类号H01L21/20;H01L31/18;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-18 00:27:04

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-03-14

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/20 公开日:20100616 申请日:20091202

发明专利申请公布后的视为撤回
2010-09-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/20 申请日:20091202

实质审查的生效
2010-06-16

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN101740358A . 2010-06-16
2. 一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN106206840A . 2016-12-07
3. Power semiconductor device e.g. insulated gate bipolar transistor substrate, has P-type isolation region partially formed by diffusing P-type impurity on substrate, where region surrounds N region which is part of substrate [P] . 德国专利： DE10344827A1 . 2004-05-13

机译：功率半导体器件绝缘栅双极晶体管衬底，具有通过在衬底上扩散P型杂质而部分形成的P型隔离区域，其中该区域围绕N区域，该区域是衬底的一部分
4. Method for forming a removable surface region on a substrate, especially on a glass ceramic on glass or ceramic, with all coatings resting on the surface of the substrate, such as decorations and the like, and substrate produced according to the method [P] . 德国专利： DE4304953A1 . 1994-08-25

机译：在衬底上，特别是在玻璃或陶瓷上的玻璃陶瓷上形成可去除表面区域的方法，所有涂层都位于衬底表面上，例如装饰物等，以及根据该方法生产的衬底
5. Method for transfer of silicon layer towards substrate support to form silicon on insulator wafer of backside illumination image forming device, involves making doped layer and layer of p-type silicon substrate to be porous [P] . 法国专利： FR3002812A1 . 2014-09-05

机译：用于将硅层转移到衬底支撑件上以在背面照明图像形成装置的绝缘体晶片上形成硅的方法，包括使掺杂层和p型硅衬底层多孔化