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使用可能性写入对MRAM单元进行编程

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摘要

一种使用可能性写入对MRAM单元进行编程的方法包括：提供写入脉冲以向MRAM单元写入值；以及在提供第一写入脉冲的步骤之后立即检验MRAM单元的状态。在写入失败的情况下，将值重写入MRAM单元。

1. 使用可能性写入对MRAM单元进行编程的方法 [P] . 中国专利： CN101814314B . 2015.02.11
2. 使用可能性写入对MRAM单元进行编程 [P] . 中国专利： CN101814314A . 2010-08-25
3. Programming MRAM cells using probability write [P] . 美国专利： US8111544B2 . 2012-02-07

机译：使用概率写入对MRAM单元进行编程
4. Programming MRAM Cells Using Probability Write [P] . 美国专利： US2010214825A1 . 2010-08-26

机译：使用概率写入对MRAM单元进行编程
5. MRAM REFERENCE CELL SUB-ARRAY AND ITS MANUFACTURING METHOD, MRAM ARRAY, MRAM CELL SUB-ARRAY AND ITS MANUFACTURING METHOD, MRAM CELL SUB-ARRAY WRITING DEVICE, AND MRAM CELL SUB-ARRAY WRITING METHOD [P] . 日本专利： JP2007141440A . 2007-06-07

机译： MRAM参考单元子阵列及其制造方法，MRAM阵列，MRAM单元子阵列及其制造方法，MRAM单元子阵列写入装置，以及MRAM单元子阵列写入方法