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一种实时检测晶片温度的方法及器件温度特性测量方法

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摘要

本发明公开了一种实时检测晶片温度的方法，该方法通过在温控仪正常的情况下，选择所述温控仪测试温度范围内的若干个温度并测量每个温度相对于常温下显微镜的焦距差，利用上述若干个温度及其对应的焦距差作出焦距差与温度的标准曲线，改变温度后，只需判断改变后的温度及相应温度下的焦距差是否在所述焦距差与温度的标准曲线上或在容许的误差范围内，即可判断温控仪显示的温度是否正确，从而实现温度的实时检测；本发明还公开了一种器件温度特性测量方法，该方法在进行器件温度特性测量前都先对温度进行实时检测，从而避免了因温控仪故障造成显示温度与实际温度不一致而导致温度特性测量错误，增强了温度特性测量的可靠性。

著录项

公开/公告号CN101915626A

专利类型发明专利
公开/公告日2010-12-15

原文格式PDF
申请/专利权人上海宏力半导体制造有限公司;
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申请/专利号CN201010241580.5
发明设计人陆向党;
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申请日2010-07-30
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人郑玮
地址 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号
入库时间 2023-12-18 01:22:20

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-10-22

授权

授权
2014-06-11

专利申请权的转移 IPC(主分类):G01K11/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20140514 申请日:20100730

专利申请权、专利权的转移
2013-02-13

实质审查的生效 IPC(主分类):G01K11/00 申请日:20100730

实质审查的生效
2010-12-15

公开

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1. 一种实时检测晶片温度的方法及器件温度特性测量方法 [P] . 中国专利： CN101915626B . 2014.10.22
2. 一种实时检测晶片温度的方法及器件温度特性测量方法 [P] . 中国专利： CN101915626A . 2010-12-15
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