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一种利用等离子体释放费米能级钉扎的方法

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摘要

本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种利用含氟（F）等离子体释放金属栅/高k栅介质体系费米能级钉扎的方法。高k栅介质中缺陷的主要类型是氧空位，F具有较小的离子半径能够对氧空位进行填补，它是电负性最强的元素，也是唯一一种电负性比氧强的元素。用含F的等离子体对淀积好的高k栅介质进行处理，能够很好地对高k栅介质中的氧空位进行钝化，从而达到释放费米能级钉扎的目的，使金属栅/高k介质晶体管的亚阈值特性和阈值电压漂移得到改善。

著录项

  • 公开/公告号CN102064111A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-05-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN201010574126.1

  • 发明设计人 孙清清;杨雯;王鹏飞;张卫;江安全;

    申请日2010-12-06

  • 分类号H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);

  • 代理机构31200 上海正旦专利代理有限公司;

  • 代理人陆飞;盛志范

  • 地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

  • 入库时间 2023-12-18 02:21:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-03-06

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 申请公布日:20110518 申请日:20101206

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-07-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20101206

    实质审查的生效

  • 2011-05-18

    公开

    公开

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