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高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管及其制作方法

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本发明公开了一种高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管及其制作方法，属于微波器件中二极管技术领域。所述变容二极管包括半导体绝缘砷化镓衬底，在半导体绝缘砷化镓衬底上部的高掺杂的N

著录项

公开/公告号CN102110720A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-06-29

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子研究所;
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申请/专利号CN200910312392.4
发明设计人董军荣;杨浩;黄杰;田超;张海英;
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申请日2009-12-28
分类号
代理机构北京市德权律师事务所;
代理人王建国
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
入库时间 2023-12-18 02:47:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-08-21

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/872 申请公布日:20110629 申请日:20091228

发明专利申请公布后的驳回
2011-08-10

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/872 申请日:20091228

实质审查的生效
2011-06-29

公开

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1. 高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管及其制作方法 [P] . 中国专利： CN102110720A . 2011-06-29
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