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提升SONOS 器件数据保持力的方法以及SONOS 器件结构

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摘要

本发明提供了一种提升SONOS器件数据保持力的方法以及SONOS器件结构。所述SONOS器件包括依次邻接的栅极硅、顶层氧化硅层、氮化硅层、隧穿氧化硅层、以及衬底硅层；所述提升SONOS器件数据保持力的方法包括：使得所述氮化硅层中靠近所述顶层氧化硅层及所述隧穿氧化硅层的氮化硅区域的Si/N比大于所述氮化硅层中间部分的Si/N比。由此，可以通过简单改进来提升SONOS器件数据保持力，而无需复杂工艺；并且，根据本发明第一方面所述的提升SONOS器件数据保持力的方法不会增大氮化硅层的介电常数，从而能够制造较厚的隧穿氧化硅层而不会引起太高的操作电压。

著录项

  • 公开/公告号CN102420233A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-04-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201110342122.5

  • 发明设计人 张雄;

    申请日2011-11-02

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑玮

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

  • 入库时间 2023-12-18 04:55:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-14

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L27/115 申请公布日:20120418 申请日:20111102

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2014-05-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/115 申请日:20111102

    实质审查的生效

  • 2014-05-28

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L27/115 变更前: 变更后: 登记生效日:20140430 申请日:20111102

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-04-18

    公开

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