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一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法

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摘要

本发明涉及一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法，在硅多晶棒的生产时，采用双石英坩埚法、降压直拉法获得轴向电阻率一致的硅多晶，之后将硅多晶进行机加工并退火后置于区熔炉内，通过区熔法进行单晶拉制，若区熔单晶硅掺杂剂目标浓度为c0，则控制硅多晶的尾部掺杂剂浓度为c0，k为掺杂剂偏析系数；由于本发明的多晶料棒的掺杂剂浓度均匀一致，且保持阶段无需进行气掺，则硅熔体浓度均匀性非常高，综上所述，本发明相比与NTD法，成本较低，且生产周期较短；与区熔气掺法和直拉区熔法相比，径向电阻率均匀性得到了有效提高。

著录项

  • 公开/公告号CN102534753A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-07-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津市环欧半导体材料技术有限公司;

    申请/专利号CN201210059756.4

  • 发明设计人 张雪囡;菅瑞娟;徐强;李建宏;王彦君;沈浩平;

    申请日2012-03-08

  • 分类号C30B13/12;C30B13/28;C30B29/06;

  • 代理机构天津中环专利商标代理有限公司;

  • 代理人莫琪

  • 地址 300384 天津市西青区华苑产业园区(环外)海泰东路12号

  • 入库时间 2023-12-18 05:43:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-08

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B13/12 申请公布日:20120704 申请日:20120308

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-09-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B13/12 申请日:20120308

    实质审查的生效

  • 2012-07-04

    公开

    公开

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